法人のお客様
株式会社ニコン｜Japan
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S3S LAB
S3S LABの装置
RtoR工程で積層パターニングを実現するS3S LABの装置
標準仕様 フィルム幅：400 mm（有効処理幅：300 mm） フィルム長：200 m フィルム厚：100 μm PET,PEN,PIなどに対応
RtoRマスクレス露光装置
- 主要仕様
解像度：6 μm L/S
重ね合わせ精度：3 σ＝2 μm
処理速度：0.6 m/min - 露光面積
露光幅（TD）：300 mm
露光長（MD）：200 m以上 - 特長
ポリゴンスキャン
非接触露光
連続的な重ね露光 - CAD形式
GDS、GERVER、BMPなど
登録画像をシームレスに描画可能
その他の装置
RtoR洗浄装置
- 処理速度
0.6 m/min - 洗浄方法
エキシマUV、2流体洗浄、リンス洗浄 - 乾燥方法
IR - 乾燥温度
Max120 ℃
RtoR HMDS処理装置
- 処理速度
0.6 m/min - 特長
SiO膜上の接触角を向上
RtoRスリットダイコータ
- 処理速度
0.6 m/min - 標準仕様粘度
1～200 cP - 塗工膜厚
5～50 μm・Wet - 塗工精度
±2.5 % - 使用可能温度
ポンプ Max120 ℃
ヘッド Max120 ℃
ローラー Max80 ℃
RtoRアニール装置
- 搬送速度
0.04～5 m/min - 雰囲気
大気/N2 - 温度
Max300 ℃
RtoR現像装置
- 処理速度
0.6 m/min - 特長
スプレー揺動
レジスト現像、レジスト剥離対応
炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム使用可能
昇温可能
RtoRエッチング装置
- 処理速度
0.6 m/min - 特長
スプレー揺動
AlNd/Mo、IGZO、ITO、Cu、Ti等のエッチング
昇温可能
RtoR剥離装置
- 処理速度
0.6 m/min - 特長
スプレー揺動
AlNd/Mo、Cu配線等のレジスト剥離
昇温可能
RtoRスパッタ装置
- ターゲット
各種金属、酸化物半導体 - 処理温度
Max160 ℃ - 膜厚分布
±5 ％ - カソード
4基（パルスDC）
RtoR CVD/RIE装置
- ターゲット
無機絶縁膜材料 - ガス
SiH4、NH3、N2O、Ar、O2、N2、CF4、液体原料 - 処理温度
Max250 ℃ - プラズマ源
CCP 1基/ICP 1基
RtoR蒸着装置
- ターゲット
有機材料成膜 - 搬送速度
0.01～2 m/min - 蒸着源
蒸着セル(るつぼ加熱) - 膜厚分布
±5 ％
RtoR検査装置
- 光学顕微鏡による計測
- 視野内パターニングズレ計測
- 線幅計測
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RtoRマスクレス露光装置 技術レポート
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お問い合わせ
株式会社ニコン
精機事業本部 商品戦略部
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