半導体露光装置

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製品カテゴリー
販売ステータス
解像度
最大露光範囲
NA
NSR-S636E

重ね合わせ精度とスループットを高レベルで両立した、クリティカルレイヤー向けArF液浸スキャナー

解像度:≦ 38 nm
最大露光範囲:26 mm × 33 mm
NA:1.35
NSR-S635E

重ね合わせ精度・スループットを向上させた最先端プロセス量産用ArF液浸スキャナー

解像度:≦ 38 nm
最大露光範囲:26 mm × 33 mm
NA:1.35
NSR-S625E

ミドルクリティカルレイヤー向けの先端半導体構造に最適なArF液浸スキャナー

解像度:≦ 38 nm
最大露光範囲:26 mm × 33 mm
NA:1.35

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株式会社ニコン
精機事業本部 半導体装置事業部