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半導体露光装置

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製品カテゴリー
販売ステータス
解像度
最大露光範囲
NA
NSR-S636E

重ね合わせ精度とスループットを高レベルで両立した、クリティカルレイヤー向けArF液浸スキャナー

解像度:≦ 38 nm
最大露光範囲:26 mm × 33 mm
NA:1.35
NSR-S635E

重ね合わせ精度・スループットを向上させた最先端プロセス量産用ArF液浸スキャナー

解像度:≦ 38 nm
最大露光範囲:26 mm × 33 mm
NA:1.35
NSR-S625E

ミドルクリティカルレイヤー向けの先端半導体構造に最適なArF液浸スキャナー

解像度:≦ 38 nm
最大露光範囲:26 mm × 33 mm
NA:1.35
NSR-S322F

液浸装置で実績のあるStreamlign Platformを搭載し、重ね合わせ精度と生産性をさらに向上

解像度:≦ 65 nm
最大露光範囲:26 mm × 33 mm
NA:0.92
NSR-S333F

より高い重ね合わせ精度を実現する液浸装置プラットフォームを採用し、​生産性の向上と重ね合わせの高精度化を実現​

解像度:≦ 65 nm
最大露光範囲:26 mm × 33 mm
NA:0.92
NSR-S220D

生産性と精度を大幅に向上したStreamlign Platformを採用

解像度:≦ 110 nm
最大露光範囲:26 mm × 33 mm
NA:0.82
NSR-SF155

スカイフック構造とウェハステージ高速化により、高い重ね合わせ精度と高スループットを実現

解像度:≦ 280 nm
最大露光範囲:26 mm × 33 mm
NA:0.62
NSR-2205iL1

多様なプロセス要望に応えつつ、既存装置との互換性を兼ね備える露光装置

解像度:≦ 350 nm
最大露光範囲:22 mm × 22 mm
NA:0.45

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株式会社ニコン
精機事業本部 半導体装置事業部