半導体露光装置

微細系から非微細系まで幅広い半導体製造に対応する豊富なラインナップを展開

史上最も精密な機械と称される半導体露光装置で、超スマート社会の発展を支える

超スマート社会を支える半導体の製造に欠かせない半導体露光装置。ニコンは、パワー半導体や通信用半導体、MEMSなど、さまざまな半導体デバイスの効率的な生産に貢献します。

露光装置・サービス

重ね合わせ精度とスループットを高レベルで両立した、クリティカルレイヤー向けArF液浸スキャナー

ArF Immersion

NA 1.35

300 mm ウェハ対応

解像度 ≦ 38 nm

重ね合わせ精度・スループットを向上させた最先端プロセス量産用ArF液浸スキャナー

ArF Immersion

NA 1.35

300 mm ウェハ対応

解像度 ≦ 38 nm

ミドルクリティカルレイヤー向けの先端半導体構造に最適なArF液浸スキャナー

ArF Immersion

NA 1.35

300 mm ウェハ対応

解像度 ≦ 38 nm

液浸装置で実績のあるStreamlign Platform搭載し、重ね合わせ精度と生産性をさらに向上

ArF Dry

NA 0.92

300 mm ウェハ対応

解像度 ≦ 65 nm

生産性と精度を大幅に向上したStreamlign Platformを採用

KrF

NA 0.82

300 mm ウェハ対応

解像度 ≦ 110 nm

スカイフック構造とウェハステージ高速化により、高い重ね合わせ精度と高スループットを実現

i-line

NA 0.62

200/300 mm ウェハ対応

解像度 ≦ 280 nm

多様なプロセス要望に応えつつ、既存装置との互換性を兼ね備える露光装置

i-line

NA 0.45

150/200 mm ウェハ対応

解像度 ≦ 350 nm

LED、MEMS、Power Device 市場に向けた縮小投影露光装置

NA 0.3

150/200 mm ウェハ対応

解像度 ≦ 1.7 μm

解析ソリューション、アップグレードやフィールドサービスなど、お客様に各種サービスをご提供します。

スペックから探す

半導体露光装置を解像度やNAなどのスペックから絞り込んで検索できます。

測定・計測・検査関連機器

露光前のウェハに対して、グリッド歪みの絶対値を高速かつ高精度に計測。重ね合わせ精度を高め、製品の歩留まりや設備投資効率の向上に寄与します。

9 inch以下のフォトマスクの線幅と座標を自動測定。高精度測定ステージや独自開発の光学系を採用し、簡単操作で高い再現性を得られます。

ウェハ全面の一括撮像による高速検査に加えて、高速計測も実現。検査と計測を1台で行い、生産性向上を実現します。

300 mmウェハの目視検査を簡単・迅速に。インライン検査システムとR&D欠陥解析の解析ツールとして、生産性の飛躍的な向上に貢献します。

⌀200 mm以下のウェハの表裏両面パターンの座標偏差の測定を実現(測定再現性:3σ ≦ 100 nm)。座標偏差出力値を基に系統誤差の分析が可能です。

ニコン独自の技術を活用したイメージセンサー検査用照明装置。広い照野を高照度で均一に照明し、照度やRGBなどの分光の設定を高速に実現します。

販売終了品

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株式会社ニコン
精機事業本部 半導体装置事業部
半導体製造メーカーをはじめとしたお客様のさまざまニーズに応える露光装置システムを提供しています。
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